2023年3月2-3日，以“精準(zhǔn)?可靠”為主題的“2023新型功率器件參數(shù)檢測(cè)、可靠性及失效分析研討會(huì)”在古城西安隆重舉行。來(lái)自功率器件封測(cè)設(shè)備與材料、功率半導(dǎo)體應(yīng)用企業(yè)的130余人齊聚西安廣成大酒店，一起探討IGBT、碳化硅與氮化鎵器件的電學(xué)與熱學(xué)性能測(cè)試方案、符合車(chē)規(guī)級(jí)要求的先進(jìn)封裝形式的可靠性測(cè)試方法，以及多種芯片與封裝材料的失效分析方式。
本次研討會(huì)由中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、中國(guó)功率器件封測(cè)設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合主辦；總冠名是陜西開(kāi)爾文測(cè)控技術(shù)有限公司；金牌贊助商是芯派科技股份有限公司和歐紛泰化工（上海）有限公司；
近年來(lái)，功率半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，作為應(yīng)用于嚴(yán)苛環(huán)境的新型高功率密度器件對(duì)可靠性提出了更高的要求。因此，精準(zhǔn)的性能測(cè)試要求、符合使用場(chǎng)景的可靠性測(cè)試條件，以及準(zhǔn)確的失效分析已經(jīng)提上日程。
研討會(huì)上，行業(yè)專(zhuān)家分享了功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用過(guò)程中需要解決的一些難題，特別是嚴(yán)苛環(huán)境下高功率密度器件的精準(zhǔn)性能測(cè)試要求、符合使用場(chǎng)景的可靠性測(cè)試條件和準(zhǔn)確的失效分析方法，以進(jìn)一步提升功率半導(dǎo)體器件的性能及可靠性表現(xiàn)。
中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)總經(jīng)理郝海洋表示：“大家在研討會(huì)上深入了解了功率電力電子器件封裝的各種挑戰(zhàn)，便于從新的測(cè)試方法和失效分析技術(shù)入手，結(jié)合先進(jìn)的設(shè)備，解決功率半導(dǎo)體器件的可靠性與應(yīng)用分析難題。”
本次研討會(huì)內(nèi)容包括：基于國(guó)產(chǎn)芯片的雙面散熱1700V碳化硅模組開(kāi)發(fā)與性能表征；SiC MOSFET可靠性測(cè)試驗(yàn)證與失效機(jī)理分析；SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的測(cè)量點(diǎn)間寄生參數(shù)；電動(dòng)汽車(chē)用SiC器件要求與測(cè)試挑戰(zhàn)；復(fù)雜應(yīng)用環(huán)境對(duì)新型大功率電力器件的應(yīng)用需求與技術(shù)挑戰(zhàn)；碳化硅從具挑戰(zhàn)的材料到強(qiáng)固的可靠性；SiC器件常規(guī)測(cè)試驗(yàn)證及加嚴(yán)測(cè)試挑戰(zhàn)；功率器件封裝可靠性技術(shù)；高可靠性、高性能碳化硅功率模塊封裝材料；功率循環(huán)設(shè)備在系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品上的應(yīng)用案例分享。會(huì)上，專(zhuān)家們還就可靠性測(cè)試結(jié)果與電特性表征現(xiàn)象和本質(zhì)方面的話題分享了精彩觀點(diǎn)。
