接觸汽車電子行業(yè)的人都知道，IGBT模塊是控制電動(dòng)車加速時(shí)電流輸出和制動(dòng)時(shí)電流輸入的核心部件能量反饋。什么是IGBT？IGBT是絕緣雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，是由雙極晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合全控電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗和低GTR開(kāi)關(guān)電壓的優(yōu)點(diǎn)。它非常適用于直流電壓600V及以上的逆變器系統(tǒng)，如交流電機(jī)、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT模塊是由IGBT和FWD續(xù)流二極管芯片通過(guò)特定的電路橋封裝而成的一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝的IGBT模塊直接應(yīng)用于逆變器、ups等設(shè)備；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品都是這樣的模塊化產(chǎn)品，IGBT一般指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保理念的推廣，這類產(chǎn)品在市場(chǎng)上會(huì)越來(lái)越普遍。
在IGBT模塊封裝之前，先將IGBT芯片和二極管芯片用焊盤(pán)焊接在DBC基板上，然后將DBC芯片與芯片結(jié)合，再進(jìn)行二次焊接。在這個(gè)過(guò)程中，為了防止子單元被氧化，對(duì)焊接的子單元進(jìn)行清洗，然后通過(guò)設(shè)備將子單元、電極、焊盤(pán)和環(huán)焊接在Al-Si-SiC散熱基板上。
二次焊接工藝對(duì)IGBT孔隙率的影響因素。
1、焊料
當(dāng)前的焊盤(pán)和環(huán)形焊接材料含有錫、鉛、銀，并且沒(méi)有助焊劑，以確保焊料在焊接前不被氧化。
2、焊接溫度
在焊接過(guò)程中，可根據(jù)焊料的熔點(diǎn)溫度選擇合適的焊接溫度，焊接溫度完全按照標(biāo)準(zhǔn)工藝文件設(shè)定。
3、冷卻速度
冷卻過(guò)程中要特別注意冷卻速度。特別是在焊料結(jié)晶點(diǎn)附近，當(dāng)溫度下降過(guò)快時(shí)，會(huì)導(dǎo)致焊料成形不均勻；當(dāng)冷卻速度過(guò)慢時(shí)，會(huì)導(dǎo)致氣孔增大，從而影響焊料質(zhì)量。因此，在實(shí)際操作中，必須按照標(biāo)準(zhǔn)工藝文件的要求設(shè)定速度，以免影響焊料的孔隙率。
