不想當將軍的士兵不是好士兵，進行碳化硅（SiC）融資的企業(yè)大概率是奔著上市去的。之所以能夠融到資，皆因碳化硅是一種具有特殊性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，在高溫、高功率、高壓、高頻等極端環(huán)境下具有廣泛的應(yīng)用前景。
不過，由于碳化硅材料制備工藝復(fù)雜，技術(shù)門檻高，生產(chǎn)成本也相對較高，因此碳化硅材料企業(yè)通常需要較大的資金支持。通過融資、上市，企業(yè)可以獲得更多的資金支持，擴大生產(chǎn)規(guī)模，提高技術(shù)水平，增強市場競爭力；也可以提高企業(yè)知名度和品牌價值，吸引更多的優(yōu)秀人才和合作伙伴，為企業(yè)的長期發(fā)展奠定堅實的基礎(chǔ)。
然而，上市并不是企業(yè)發(fā)展的唯一目的，也不是所有企業(yè)都能夠成功上市。要想成功上市，需要具備強大的技術(shù)實力、穩(wěn)定的市場需求和良好的財務(wù)狀況等條件；還需要注重自身核心競爭力和可持續(xù)發(fā)展能力，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)水平，以滿足客戶的需求和投資者的期望。
我們來看看在國內(nèi)還沒有上市的一些碳化硅企業(yè)表現(xiàn)如何。
南砂晶圓
南砂晶圓成立于2018年，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售三位一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司以山東大學近年來研發(fā)的最新碳化硅單晶生長和襯底加工技術(shù)成果為基礎(chǔ)，與山東大學開展全方位產(chǎn)學研合作。
該公司2022年底完成了B+輪融資，由渾璞投資領(lǐng)投。早在2021年9月，總投資9億元的總部基地項目封頂，其用地面積36.8畝，規(guī)劃建筑面積91372.47平方米，項目建成穩(wěn)定運營后可年產(chǎn)碳化硅各類襯底15萬片。
2022年公司聯(lián)合山東大學晶體材料國家重點實驗室經(jīng)過多年的理論和技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備。
晶越半導(dǎo)體
晶越成立于2020年，主要聚焦于6-8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。
2020年6月，當?shù)厥薪?jīng)開區(qū)與溢起投資合伙企業(yè)、高冰博士團隊在上海正式簽署“晶越碳化硅晶圓項目”三方投資協(xié)議書。該項目共分三期，總投資達100億元，一期投產(chǎn)后將具備月產(chǎn)1500片碳化硅晶圓能力。
2021年7月，浙江紹興市生態(tài)環(huán)境局受理晶越碳化硅項目環(huán)評文件。據(jù)介紹，該項目一期擬投資約1.35億元，年產(chǎn)1.2萬片6英寸碳化硅晶片。
2022年6月，晶越完成完成B輪融資，領(lǐng)投方為紅杉資本等，此輪融資估值達1.35億元。
粵海金半導(dǎo)體
粵海金成立于2022年，是高金富恒集團旗下專門從事碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)與生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化公司，旗下有山東東營產(chǎn)業(yè)化基地和北京研發(fā)中心兩大核心板塊。
該公司在工藝技術(shù)上依托中科鋼研、國宏中宇第三代半導(dǎo)體材料制備關(guān)建共性技術(shù)北京市工程實驗室的強大科研能力，已形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵核心技術(shù)體系。
國宏中能年產(chǎn)11萬片碳化硅襯底項目總投資6.5億元，總建筑面積3萬平方米。通過在材料制備技術(shù)體系、核心裝備研制上的持續(xù)科研投入，同時緊密結(jié)合研發(fā)成果的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)轉(zhuǎn)化，目前該項目已經(jīng)具備投產(chǎn)條件。
2023年5月，公司完成過億元PreA輪融資。據(jù)了解，自2022年9月以來，高金富恒已陸續(xù)投資超6億元，對北京研發(fā)中心、山東生產(chǎn)基地進行技術(shù)升級和擴能改造。目前，粵海金的碳化硅襯底即將量產(chǎn)交付。
2023年11月，粵海金半導(dǎo)體成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片。
科友半導(dǎo)體
科友半導(dǎo)體成立于2018年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領(lǐng)域。
2022年5月，隨著2020年開工的科友半導(dǎo)體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期工程收尾完工，以科友自有技術(shù)為依托的年產(chǎn)10萬片第三代半導(dǎo)體襯底材料生產(chǎn)線即將投產(chǎn)。
公司已形成自主研發(fā)的6-8英寸碳化硅晶體生長關(guān)鍵技術(shù)及2-4英寸氮化鋁晶體生長關(guān)鍵技術(shù)，6英寸碳化硅晶體厚度成功突破40mm。2022年底，科友半導(dǎo)體通過自主設(shè)計制造的電阻長晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的碳化硅單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。這是該公司繼在6英寸碳化硅晶體實現(xiàn)40mm厚度突破后，取得的又一次極具歷史意義的重大突破。
據(jù)了解，科友半導(dǎo)體現(xiàn)有長晶爐生產(chǎn)線1條，年產(chǎn)長晶爐200臺，高純石墨加工設(shè)備、高純度碳化硅原料制備設(shè)備各一套；6-8寸碳化硅晶體生產(chǎn)線1條，年產(chǎn)6-8寸碳化硅襯底10萬片。
科友半導(dǎo)體已突破8英寸碳化硅量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月，其8英寸碳化硅中試線正式貫通并進入生產(chǎn)，平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，打破了國際限制和封鎖。
爍科晶體
中國電科旗下爍科晶體成立于2018年，是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。其打造的中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地一期項目于2019年4月1日開工建設(shè)，2020年3月基地第一批設(shè)備正式啟動。一期項目可容納600臺碳化硅單晶生長爐，建成后將具備年產(chǎn)10萬片4-6英寸n型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產(chǎn)能力，是目前國內(nèi)最大的碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地。
目前4英寸高純半絕緣碳化硅襯底已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，月產(chǎn)能8000片，在國內(nèi)市場占有率超過50%。2022年，在高純半絕緣襯底穩(wěn)定生產(chǎn)前提下，大幅提升了6英寸n型襯底產(chǎn)能，此前產(chǎn)能為6000片/月。同年，實現(xiàn)了8英寸n型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)n型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。
二期項目于2023年9月開始建設(shè)，10月進入主體鋼結(jié)構(gòu)施工，11月主體完成封頂，并具備設(shè)備進廠條件。2024年2月二期項目投產(chǎn)，預(yù)計2025年全面投產(chǎn)后碳化硅襯底年產(chǎn)能可達30萬片。
微芯長江
微芯長江成立于2020年，由上海申和投資有限公司、中國科學院上海硅酸鹽研究所、銅陵市國有資本運營控股集團等投資建設(shè)，主要從事碳化硅錠、碳化硅片及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
2020年，微芯長江碳化硅單晶襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目順利開工，投資13.50億人民幣，建設(shè)工期4年，項目截止期為2024年10月，投產(chǎn)后前3年生產(chǎn)負荷分別為33%、67%、100%。達成后預(yù)計年產(chǎn)4英寸碳化硅晶圓3萬片、6英寸晶圓12萬片。2021年11月，微芯長江舉行年產(chǎn)15萬片碳化硅晶圓片項目建設(shè)工程竣工儀式。
乾晶半導(dǎo)體
乾晶半導(dǎo)體成立于2020年，專注于第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，是一家集半導(dǎo)體碳化硅單晶生長、晶片加工和設(shè)備開發(fā)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。
2023年2月，乾晶半導(dǎo)體完成1億元Pre-A輪融資。4月，乾晶半導(dǎo)體“功率器件用6/8英寸碳化硅拋光襯底研發(fā)、中試項目”開工。該項目總占地面積22畝，總建筑面積約19000平方米，總投資約3億元，計劃建成碳化硅6/8英寸單晶生長和襯底加工的中試基地。
5月，浙大杭州科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院-杭州乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅，包括8英寸碳化硅晶錠、8英寸碳化硅拋光襯底。晶錠生長采用多段式電阻加熱物理氣相傳輸（PVT）工藝，生長出厚度達27mm的8英寸n型碳化硅單晶錠，加工獲得了8英寸碳化硅襯底，成功躋身于8英寸碳化硅俱樂部。
據(jù)了解，在長晶技術(shù)方面，乾晶生長的6英寸碳化硅晶體厚度在20mm以上，最厚可達50mm，長晶成品率達70%，晶體生長時間為5天，處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。在切割方面，乾晶解決了金剛石線高線速切削加工劇烈、晶片翹曲度大的問題，切割一刀時長縮短到20小時，大大提高了加工效率。此外，乾晶半導(dǎo)體正在開發(fā)激光剝離技術(shù)，有望進一步降低晶片切割損耗和損傷層厚度。
天科合達
天科合達成立于2006年，是國內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備；碳化硅襯底市占率全球排名第二。
2022年11月，天科合達發(fā)布8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底晶片，多項指標均處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，已達到量產(chǎn)標準，2023年開始小規(guī)模量產(chǎn)。
2023年2月，天科合達完成Pre-IPO輪融資。8月，碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目開工，將新增16萬片產(chǎn)能，計劃2024年6月完成建設(shè)，8月竣工投產(chǎn)，屆時總產(chǎn)能將達到23萬片。
2023年5月，天科合達與英飛凌簽訂長期協(xié)議，將提供6英寸碳化硅晶圓和晶錠，供應(yīng)量將占英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額；并將提供8英寸直徑碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸直徑晶圓過渡。
2023年9月，因經(jīng)濟及證券市場原因，IPO政策突然收緊，天科合達再次止步IPO。不過，2023年下半年，公司營收首次突破10億元，較上年翻了一番。據(jù)了解，公司現(xiàn)已累計服務(wù)國內(nèi)外500余家客戶，累計銷售導(dǎo)電型碳化硅襯底材料60余萬片。
天達晶陽
天達晶陽成立于2020年，以中國科學院物理研究所、天科合達為技術(shù)依托，采用的技術(shù)綜合實力在碳化硅單晶襯底行業(yè)排名國內(nèi)第一、世界第四，達到了國內(nèi)領(lǐng)先和國際先進水平。
2021年4月，天達晶陽碳化硅單晶體項目開始進行無塵車間改造，一期54臺碳化硅單晶生長爐已全部到場，30臺已安裝到位進行調(diào)試。
2022年4月，公司再投資7.31億元，將建設(shè)400臺套完整設(shè)備的碳化硅晶體生產(chǎn)線，達產(chǎn)后4-8英寸碳化硅晶片的年產(chǎn)能將達到12萬片。
中電化合物
中電化合物成立于2019年，是由華大投資的一家碳化硅晶體、襯底、外延和GaN外延制造企業(yè)，持股比例超過48.93%。
2022年10月，中電化合物總投資10.5億元建設(shè)寬禁帶半導(dǎo)體材料項目，并計劃2021-2025年投入8億元。該項目將分二期建設(shè)：一期投資2.2億元，租用1萬平方米廠房；二期征用土地70畝，形成年產(chǎn)8萬片4-6寸碳化硅襯底及外延、碳化硅基氮化鎵N外延能力。
2023年6月，中電化合物與韓國Power Master簽署長期供應(yīng)包括8英寸碳化硅材料的協(xié)議。7月，中電化合物獲瑞能半導(dǎo)投資5000萬元。
天成半導(dǎo)體
天成半導(dǎo)體成立于2021年，經(jīng)營范圍包括半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、電子專用材料研發(fā)、新興能源技術(shù)研發(fā)等。
2021年11月，山西省審批通過天成半導(dǎo)體碳化硅項目。該項目投資額3000萬元，采用PVT法生長6英寸碳化硅晶錠，正式投產(chǎn)后年產(chǎn)1500kg晶錠。
2022年4月，天成半導(dǎo)體僅用半年時間就將4英寸碳化硅襯底升級至6英寸，并即將投產(chǎn)。二期項目包括廠房擴建、設(shè)備擴充及一條全自動線切割拋光清洗加工線，完成后將年產(chǎn)導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底2萬片。
二期10000平方米廠房已接近驗收，規(guī)劃年產(chǎn)10萬片；二期一單元已建成，產(chǎn)能達到月產(chǎn)1000片，并已有客戶提前預(yù)定。
超芯星
超芯星成立于2019年，是國內(nèi)第一家專注于大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化的公司，目前已經(jīng)實現(xiàn)6英寸碳化硅襯底量產(chǎn)出貨。超芯星創(chuàng)始團隊源自國際頂尖HTCVD法的Norstel公司，曾主導(dǎo)1、2、3、4、6英寸碳化硅襯底的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
據(jù)了解，超芯星是國內(nèi)極少數(shù)具備國際競爭力的碳化硅襯底供應(yīng)商，目前其6英寸碳化硅襯底已順利進入美國一流器件廠商，這也是國內(nèi)碳化硅襯底公司在國際市場上的首次突破。為滿足全球市場的旺盛需求，公司正在有序交貨和積極擴產(chǎn)，預(yù)計6-8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能未來將提升至150萬片/年。
2023年12月，超芯星完成數(shù)億元C輪融資。
同光半導(dǎo)體
同光半導(dǎo)體成立于2012年，公司致力于碳化硅單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，是國內(nèi)率先量產(chǎn)碳化硅單晶襯底的制造商之一，也是國際上少數(shù)同時掌握高純半絕緣襯底和導(dǎo)電型襯底制備技術(shù)的企業(yè)。
歷經(jīng)2年多的研發(fā)，同光半導(dǎo)體8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體樣品已經(jīng)出爐，目前正在攻關(guān)加工成碳化硅單晶襯底，預(yù)計近期可實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，將由客戶制成功率芯片。
2022年，河北同光碳化硅襯底產(chǎn)能約為10萬片/年，并在規(guī)劃建設(shè)2000臺碳化硅晶體生長爐生長基地和年產(chǎn)60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，預(yù)計2025年末達產(chǎn)。
世紀金芯
世紀金芯成立于2019年，是一家致力于第三代半導(dǎo)體碳化硅功能材料研發(fā)與生產(chǎn)的技術(shù)企業(yè)。
2022年9月，世紀金芯年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目在合肥投產(chǎn)，晶體良率達到92%以上，綜合良率達到65%；襯底外延后至下游芯片流片結(jié)果統(tǒng)計，SBD產(chǎn)品綜合良率在95%以上，MOSFET產(chǎn)品綜合良率達到88%。產(chǎn)品已批量生產(chǎn)與交付。同時，8英寸單晶研發(fā)進展順利，已步入送樣驗證階段，產(chǎn)品各項指標均處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。
2024年1月，世紀金芯全資子公司宇海電子年產(chǎn)能70萬片6-8英寸碳化硅單晶襯底項目在包頭發(fā)改委完成備案審批。項目總投資35億元，占地270畝，年產(chǎn)能為70萬片6-8英寸碳化硅單晶襯底?？偨ㄖ娣e約12萬平方米，包含碳化硅長晶爐、切磨拋加工及測試等相關(guān)設(shè)備設(shè)施?？偨ㄔO(shè)周期三年，計劃建設(shè)年限為2024年4月至2027年4月。
據(jù)了解，世紀金芯產(chǎn)品已覆蓋6英寸、8英寸碳化硅襯底及其他第三代半導(dǎo)體材料研究。其6英寸碳化硅襯底已與國內(nèi)幾家頭部外延及晶圓廠商達成訂單合作，并與HT、ZDK完成多批次樣品驗證，還在與臺灣HY、JJ、韓國GJ實驗室、SX進行產(chǎn)品驗證，與日本FG等進行8英寸襯底產(chǎn)品驗證。
國碳半導(dǎo)體
國碳半導(dǎo)體成立于2020年，其碳化硅長晶技術(shù)研發(fā)工作始于1991年，是一家致力于碳化硅襯底晶體生長、加工及關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)及銷售的創(chuàng)新型企業(yè)。
公司創(chuàng)始團隊兼具豐富的襯底材料研發(fā)經(jīng)驗和成熟的企業(yè)運營管理經(jīng)驗，6-8英寸碳化硅襯底研發(fā)項目已落地深圳市中清欣達膜技術(shù)研究院，并計劃投資10億元，在深圳新建年產(chǎn)24萬片6寸碳化硅襯底生產(chǎn)線。
2022年10月，國碳半導(dǎo)體6英寸車規(guī)級碳化硅襯底項目在深圳正式投產(chǎn)。2023年11月，公司宣布已獲得全球頭部客戶的Vendor Code，目前已鎖定年產(chǎn)50萬片的意向性產(chǎn)能需求。
該公司還表示，2023年11月，聘請了華興泛亞投資顧問（北京）有限公司負責融資工作，本輪融資主要用于中山生產(chǎn)基地建設(shè)。
博藍特半導(dǎo)體
博藍特半導(dǎo)體成立于2012年，是一家快速成長的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有國際領(lǐng)先的光學、半導(dǎo)體制備工藝技術(shù)，利用先進的新型半導(dǎo)體材料加工設(shè)備開展GaN基LED芯片襯底及第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
2019年12月，博藍特與金華經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)就年產(chǎn)15萬片碳化硅襯底及200萬片用于Mini/Micro-LED顯示技術(shù)的大尺寸藍寶石襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化合作項目簽約。2020年7月，該項目開工奠基。
2022年2月，金華金投完成對博藍特半導(dǎo)體的增資，合計融資規(guī)模3.65億元。公司將加強研發(fā)投入，在鞏固圖形化襯底優(yōu)勢基礎(chǔ)上，加快對第三代半導(dǎo)體材料的布局。
重投天科
重投天科成立于2020年，是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。重投天科由深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司、天科合達、深圳市和合創(chuàng)芯微半導(dǎo)體合伙企業(yè)及產(chǎn)業(yè)資本出資構(gòu)成項目實施主體。
2022年6月，重投天科發(fā)生工商變更，新增寧德時代等為股東，同時注冊資本增至22億元人民幣，增幅達1275%。
晶格領(lǐng)域
晶格領(lǐng)域成立于2020年，是集碳化硅襯底研發(fā)、生產(chǎn)及銷售于一體的創(chuàng)新型高新技術(shù)企業(yè)。該公司是國內(nèi)首家以液相法為核心技術(shù)生長碳化硅晶體的企業(yè)，掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的液相法生長碳化硅晶體技術(shù)，相比目前物理氣相傳輸法生長技術(shù)（PVT法），該方法能有效提高晶體質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，并能解決碳化硅襯底p型摻雜難以實現(xiàn)的產(chǎn)業(yè)化難題，對于推動寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
該公司運營的液相法生長碳化硅半導(dǎo)體襯底項目是中科院物理所科技成果轉(zhuǎn)化項目，分三期落地實施，計劃總投資7.5億元。一期投資5000萬元，在中關(guān)村順義園租賃廠房1050平方米，建設(shè)4-6英寸液相法碳化硅晶體中試生產(chǎn)線。2021年4月，其第一批設(shè)備全部進場，并開始試生產(chǎn)。
在晶體生長方面，該公司目前已成功生長出4-6英寸p型碳化硅晶體，晶體尺寸、晶體質(zhì)量與厚度均處于國際領(lǐng)先水平。
盛新材料
盛新材料成立于2020年，是中國臺灣為數(shù)不多可同時生產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底的廠商，在高品質(zhì)長晶領(lǐng)域擁有技術(shù)優(yōu)勢。
據(jù)了解，2022年盛新材料的6英寸碳化硅襯底月產(chǎn)能僅為400片左右，之后又將碳化硅長晶爐的數(shù)量增加至65臺，其中5臺來自美國，10臺來自日本，其余50臺是與股東廣運集團（Kenmec）合作自制，65臺長晶爐月產(chǎn)能可達1200-1600片。
技術(shù)實力與市場競爭的雙重考驗
毋庸諱言，融資和上市是目前碳化硅企業(yè)發(fā)展的重要途徑，融資與上市之路需要面對技術(shù)實力與市場競爭的雙重考驗。
融資不僅為企業(yè)提供了資金支持，更是對其技術(shù)實力和市場前景的認可。上述一些企業(yè)已完成了不同輪次融資，這無疑是對他們技術(shù)實力和市場潛力的肯定。
然而，上市并不是企業(yè)發(fā)展的終點，而是新的起點。上市意味著企業(yè)需要接受更為嚴格的監(jiān)管和市場的考驗。上市企業(yè)需要不斷提升自身的核心競爭力和可持續(xù)發(fā)展能力，以滿足客戶的需求和投資者的期望。只有這樣，企業(yè)才能在激烈的市場競爭中站穩(wěn)腳跟，實現(xiàn)長期的商業(yè)價值。
即使是奔著上市去的，在實踐中也未必能夠成行，還是要把技術(shù)做到家，才能使企業(yè)的長期發(fā)展萬無一失。
