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碳化硅MOSFET性能的優(yōu)勢與發(fā)展遇到的瓶頸!

引言碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域,受到大家的喜愛,不斷地推陳出新,大量的更高電壓等級、更大電流等級的產(chǎn)品相繼...

直流充電樁中“快準穩(wěn)”的SiC器件

根據(jù)對電動汽車的充電方式,充電樁可分為交流充電樁和直流充電樁兩大類。直流充電樁具備直接給電池充電的能力,以三相四線制的方式連...

用于逆變器應(yīng)用的耐用型650v溝道IGBT

摘要:介紹新的650v場截止溝道IGBT并評估了其性能。新的igbt比上一代igbt提供更好的dc和ac特性、更長的短路耐受時間以及更低的漏電流...

IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應(yīng)用及原理

通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動要求和保護方法等討論,介紹了的一種可驅(qū)動高壓大功率igbt的集成驅(qū)動模塊hcpl-3i6j的應(yīng)用關(guān)...

在高頻直流―直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

摘要本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650VSiCmosFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性,并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全...

平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)淺析

在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候,可能會顧名思義地認為,平面...

歐陽明高談新能源汽車的三個技術(shù)路線

歐陽明高,教育部長江學(xué)者特聘教授,清華大學(xué)學(xué)術(shù)委員會副主任,教授、博士生導(dǎo)師,汽車安全與節(jié)能國家重點實驗室主任,北京節(jié)能與新...

IGBT的封裝失效機理

1IGBT模塊結(jié)構(gòu)IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續(xù)流...

SiC肖特基二極管的產(chǎn)業(yè)、技術(shù)現(xiàn)狀與前景

新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料由于優(yōu)異的潛在材料性能,在功率器件中得到了廣泛應(yīng)用,十幾年來一直是電力電子領(lǐng)域的研發(fā)熱點。其中碳化硅...

汽車IGBT芯片與模塊技術(shù)研究(株洲中車時代電氣-羅海輝)

提示:本文為了方便朋友們閱讀,已經(jīng)對本報告做了刪減處理!如果想了解全文,請關(guān)注“電力電子網(wǎng)”微信公眾號,請在在電力電子網(wǎng)公眾...

開關(guān)電源設(shè)計中所用到的各種元器件

設(shè)計開關(guān)電源并不是如想象中那么簡單,特別是對剛接觸開關(guān)電源研發(fā)的童鞋來說,它的外圍電路就很負責(zé),其中使用的元器件種類繁多,性...

如果排查電路中是否是貼片電容貼塊引起的故障

電路中有千千萬萬個小的電子元器件,因此,當我們電路設(shè)計不當,或者是電壓不穩(wěn),時很容易引起電路故障,在這些電路故障中,以貼片電...

深入理解電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)

電容的等效串聯(lián)電阻ESR普遍的觀點是:一個等效串聯(lián)電阻(ESR)很小的相對較大容量的外部電容能很好地吸收快速轉(zhuǎn)換時的峰值(紋波)電流。...

光伏電機IGBT模塊的應(yīng)用和精簡型風(fēng)電變流器的設(shè)計與分析

風(fēng)電變流器的設(shè)計:能源是人類社會存在與發(fā)展的物質(zhì)基礎(chǔ)。過去200多年,建立在煤炭、石油、天然氣等化石燃料基礎(chǔ)上的能源體系極大地...

Acrel-6000電氣火災(zāi)監(jiān)控系統(tǒng)在牡丹江醫(yī)學(xué)院第二附屬醫(yī)院項目中的應(yīng)用

摘要安科瑞剩余電流式電氣火災(zāi)監(jiān)控系統(tǒng)通過ARCM剩余電流式電氣火災(zāi)監(jiān)控裝置或數(shù)字型剩余電流互感器,對商場、賓館、機場、銀行、醫(yī)院...